彩票网址大全资料,史上最大碳纳米管芯片问世!

新智元 2019-09-07 07:08 次阅读

迄今为止用碳纳米管制造的最大的芯片问世了!来自MIT的研究人员制造出一个完全由碳纳米晶体管构成的16位微处理器,包含14000多个碳纳米管(CNT)晶体管。这是新型芯片制造的一个重大里程碑。

彩票网址大全资料,史上最大碳纳米管芯片问世!  

      今天,来自MIT的Gage Hills等人今天在Nature发表论文,报告了碳纳米管芯片制造领域的一项重大进展:一个完全由碳纳米晶体管构成的16位微处理器。这是迄今为止用碳纳米管制造的最大的计算机彩票网址大全资料芯片。

几十年来,电子技术的进步一直由硅晶体管尺寸的不断缩小而推动。然而,硅晶体管缩小变得越来越困难,现在的收益正在递减。

以半导体碳纳米管为基础的晶体管作为先进微电子器件中硅晶体管的替代品,显然很有前景。但碳纳米管固有的纳米级缺陷和可变性,以及处理它们面临的挑战,阻碍了它们在微电子领域的实际应用。

彩票网址大全资料一个完整RV16XNANO裸片的显微图像。处理器核心位于裸片中间,测试电路环绕在外围

作者表示,他们利用14000多个碳纳米管晶体管制造出一个16位微处理器,证明可以完全由碳纳米管场效应晶体管(CNFET)打造超越硅的微处理器,其设计和制造方法克服了之前与碳纳米管相关的挑战,有望为先进微电子装置中的硅带来一种高效能的替代品。

他们将这个处理器命名为RV16X-NANO,这款16位的微处理器基于RISC彩票网址大全资料-V指令集,在16位数据和地址上运行标准的32位指令,包含14000多个互补金属氧化物半导体 CNFET,并使用行业标准的工艺流程进行设计和制造。

一个完整的RV16X-NANO 150毫米晶圆,每个晶圆包含32个裸片

具体而言,Hills及同事提出一套碳纳米管的制造方法,包括综合处理和设计技术,以克服整个晶圆宏观尺度上的纳米级缺陷。

他们利用一种剥落工艺防止碳纳米管聚合在一起,以防晶体管无法正常工作。此外,通过细致的电路设计(减少了金属型碳纳米管而非半导体型碳纳米管的数量,后者的存在不会影响电路的功能),他们还克服了一些和碳纳米管杂质相关的问题。

作者将其微处理器命名为“RV16X-NANO”,并在测试中成功执行了一个程序,生成消息:“你好,世界!我是RV16XNano,由碳纳米管制成。”

“你好,世界!我是RV16XNano,由碳纳米管制成”

里程碑突破!克服三大缺陷,提出完整碳纳米管制造方法

碳纳米管(Carbon Nanotube ,缩写为 CNT)是一种直径仅为 1 纳米,或十亿分之一米的管状纳米级石墨晶体。几天前在Hot Chips会议上,台积电研发负责人黄汉森(Phillip Wong)在谈到未来要将晶体管将缩小到0.1nm尺度,便提出碳纳米管作为一种使晶体管更快、更小的新技术,正在变得切实可用。

在过去10年中,CNT技术已经得到快速的发展,以往的研究已经实现单个CNFET、单个数字逻辑门,乃至小型的数字电路和系统。2013年,MIT的研究组实现了一个完整的数字系统演示:一个由178个CNFET组成的计算机原型,但它所能做的很有限,只实现了在单个数据位上操作的单条指令。

图1:RV16X-NANO。a是制备的RV16X-NANO芯片,裸片面积6.912 mm×6.912 mm

这些小规模的演示与包含数万个(例如微处理器)甚至数十亿个(例如高性能计算服务器) FET的现代系统之间仍然存在很大的脱节。

具体到CNT,存在三个内在的挑战:材料缺陷、制造缺陷和可变性。

彩票网址大全资料材料缺陷:由于无法精确控制碳纳米管的直径,导致每次合成的碳纳米管中都含有一定比例的金属CNT,这会导致高泄漏电流和潜在的错误逻辑功能。

制造缺陷:在晶圆制造过程中,CNT天生地“捆绑”在一起,形成厚的CNT聚集体,这会导致CNFET失效(降低CNFET电路成品率),以及超大规模集成电路(VLSI)制造过程中令人望而却步的高颗粒污染率。

彩票网址大全资料可变性:以前实现CNT CMOS的技术要么依赖于极强反应性、非空气稳定、非硅CMOS兼容的材料,要么缺乏可微调性、稳健性和重现性。这严重限制了CNT CMOS的复杂性。

在这项工作中,作者克服了固有的CNT缺陷和变化性,成功制造出超越硅的现代微处理器:RV16X-NANO,其设计和制造完全使用碳纳米管晶体管。

他们提出一套碳纳米管制造方法(manufacturing methodology for CNTs,MMC),将原始的处理和电路设计技术结合起来克服了固有的碳纳米管的挑战。

彩票网址大全资料图4:MMC。RV16X-NANO的设计和制造流程

MMC的关键要素是:

彩票网址大全资料RINSE(removal of incubated nanotubes through selective exfoliation)。提出一种通过选择性机械剥落工艺去除CNT聚集体缺陷的方法。在不影响非聚集CNTs或降低CNFET性能的情况下,RINSE方法可将CNT聚集体缺陷密度降低>250倍。

MIXED(metal interface engineering crossed with electrostatic doping)。所提出的 CNT 掺杂工艺结合了金属接触功函数工程和静电掺杂,可实现稳健的晶圆级 CNFET CMOS 工艺

DREAM(designing resiliency against metallic CNTs)。该技术通过电路设计完全克服了金属碳纳米管的存在。DREAM将对金属CNT纯度的要求放宽了1万倍左右(从半导体CNT纯度要求99.999999%放宽到99.99%),不需要额外的加工步骤或冗余。DREAM是使用标准的电子设计自动化(EDA)工具实现的,成本最低,并使具有CNT纯度的数字VLSI系统可以商用。

更重要的是,整个MMC是晶圆级的,与超大规模集成电路兼容,并且在设计和处理方面与现有的硅集成电路基础设施无缝集成。

具体来说,RV16X-NANO是使用标准EDA工具设计的,并且只利用了与商用硅CMOS制造设施兼容的材料和工艺。

总之,这些贡献构建起强大的CNT CMOS技术,并代表了超越硅的电子发展的一个重要里程碑。

RV16X-NANO的架构和设计

作者开发了一种可行的纳米晶体管技术,提供两种晶体管:p型金属氧化物半导体(PMOS)和n型金属氧化物半导体(NMOS)。在数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。

当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源极和漏极)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。当一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管串联时,结果是一个称为逆变器(inverter)的元件(如下图所示)。如果对这样的逆变器施加低电压,输出电压就会很高,反之亦然。这个元件是Hills及其同事设计的计算机中所有逻辑电路的基本组成部分。

一个碳纳米管逆变器

作者通过在基板上形成随机分布的高纯度(99.99%)半导体纳米管网络来制作晶体管。它的形成过程类似于将一碗煮熟的意大利面倒在一个表面上,然后将所有不与表面直接接触的面条去除。其结果是基板上覆盖有一层大致是单层的随机取向的纳米管。

图2:RV16X-NANO的架构和设计

然后,Hills等人在纳米管上沉积金属,将它们与源极和漏极连接起来。这种金属的功函数(从表面去除电子所需的能量)取决于该器件是PMOS晶体管还是NMOS晶体管。作者用精心挑选和修剪过的氧化物材料覆盖了每根纳米管的其余部分,以便将纳米管与其周围环境隔离开来,并调整它们的性能。原则上,基板不需要由硅制成;它只需要是平的。此外,加工过程发生在相对较低的温度(约200-325℃),因此可以很容易堆叠其他功能层。

你好,世界!我是RV16XNano,由碳纳米管制成。

现代计算机设计是基于标准单元库的。Hills和他的同事们设计了使用商用传统设计工具来构建计算机架构所必需的所有标准单元。由于半导体纳米管的纯度为99.99%,其中约0.01%是金属(非半导体),可能会危害电路。然而,某些标准单元的组合比其他更容易受到金属纳米管的影响。因此,作者强制执行修改后的设计规则,将这种脆弱的组合排除在外。

有了这些工具,他们就可以通过让计算机执行“Hello, World”(一个在运行时输出“Hello, World”消息的简单程序)来设计、制造和测试他们的处理器了。

图3:RV16X-NANO实验结果。a、实验测量波形来自RV16X-NANO,执行了著名的“Hello, World”程序。

Hills及其同事的碳纳米管处理器基于CMOS技术,在16位数据上运行32位指令,晶体管通道长度约为1.5微米。因此,它可以与基于硅的英特尔80386处理器相比较,后者是1985年推出的,具有类似的规格。早期的80386可以以16兆赫的频率处理指令,而碳纳米管处理器的最大处理频率约为1兆赫。造成这种差异的原因在于电子元件电容(电荷存储能力),以及最小晶体管所能输出的电流量。

数字逻辑仅仅涉及晶体管栅极和互连进行充电和放电。充电和放电的速度取决于晶体管所能提供的电流的大小,这与晶体管的宽度和长度有关。一个设计良好的硅晶体管可以提供大约宽度每微米1毫安的电流(1 mA µm⁻¹) 。相比之下, Hills 等人使用的典型纳米管晶体管,只能提供大约6µA µm⁻¹。这是该处理器的未来版本主要需要改进的地方。

增加电流的第一步是减小晶体管通道的长度。已经证明纳米管晶体管的通道长度可以缩减到5纳米。第二步是将每个通道的纳米管密度从每微米10个纳米管增加到每微米500个纳米管。

对于这些随机分布的纳米管网络,可实现的密度可能会存在上限,但沉积技术已经被证明能够将这种网络的电流提高到1.7 mA µm⁻¹。

第三步是减小晶体管的宽度,从而减小源极和漏极的宽度,使这些电极能更快地充放电。缩小晶体管尺寸对于以纳米管为基础、以千兆赫频率工作的CMOS技术来说是必不可少的

Hills及其同事的研究成果是基于对每个晶体管通道中几个纳米管性能进行平均。在未来的大规模纳米管计算机中,PMOS和NMOS晶体管将只包含一个纳米管。这些纳米管必须是半导体的:如果逆变器中的两个纳米管中有一个是金属的,那么没有任何设计技巧可以解决这个问题。

这项工作毫无疑问是一个伟大的成就,涉及从材料科学到加工技术、从电路设计到电气测试等许多研究课题。当然,在实现商用之前,还需要更多的努力。

原文标题:Nature:彩票网址大全资料,史上最大碳纳米管芯片问世!MIT用14000个碳纳米管晶体管造出16位微处理器

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摩尔定律是否失效了?近年来,这一讨论不绝于耳。
的头像 半导体动态 发表于 10-14 17:34 427次 阅读
异构集成被认为是增强功能及降低成本的可行方法 但也面临多方面的挑战

台积电第4季营收有望改写历史新高纪录 7纳米先进制程将是主要成长动能

晶圆代工厂台积电法人说明会即将于17日登场,市场普遍看好台积电可望释出好消息,第4季营收应可改写历史....
的头像 半导体动态 发表于 10-14 17:20 464次 阅读
台积电第4季营收有望改写历史新高纪录 7纳米先进制程将是主要成长动能

日韩双方磋商未谈妥 下一次磋商预计在11月10日前进行

10月11日,日韩两国在WTO总部瑞士日内瓦围绕该问题举行了双边磋商,从磋商结果来看,双方并未谈妥,....
的头像 半导体动态 发表于 10-14 17:13 413次 阅读
日韩双方磋商未谈妥 下一次磋商预计在11月10日前进行

嵌入式内部之构建任意规模和结构的阵列

在16nm中,客户可能希望仅需要几百个可编程逻辑的LUT就可以让快速可重构控制逻辑运行在1GHz;而....
发表于 10-14 16:45 70次 阅读
嵌入式内部之构建任意规模和结构的阵列

vivo的V1936A机型跑分曝光,疑似iQOO Neo 2新机

近几年随着硬件更新迭代频率的加快,不少性能强大的机型也能拥有非常实惠的价格。今年七月,vivo发布了....
的头像 牵手一起梦 发表于 10-14 16:32 750次 阅读
vivo的V1936A机型跑分曝光,疑似iQOO Neo 2新机

预测苹果将于2020年Q1发售iPhone SE2,台积电等供应链受惠

中国天风证券分析师郭明錤发表研报,预测苹果 (AAPL-US) 将于 2020 年Q1 发售 iPh....
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预测苹果将于2020年Q1发售iPhone SE2,台积电等供应链受惠

MQ-303A酒精传感器的数据手册免费下载

MQ-303A是一种二氧化锡半导体型酒精气体传感器,对酒精具有高的灵敏度和快速的响应性,适于便携式酒....
发表于 10-14 15:09 67次 阅读
MQ-303A酒精传感器的数据手册免费下载

FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ...
发表于 07-31 14:02 20次 阅读
FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 22次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 56次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 20次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 8次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 14次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 22次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 27次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 11次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 9次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 12次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 13次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 36次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 33次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 20次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 16次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 50次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 14次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 37次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 93次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5