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SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin 整合 2019-07-19 16:59 次阅读

宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。

譬如,Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根据该公司计划,Cree正在创建世界上第一个200毫米(8英寸)SiC晶圆厂,但从目前来说,150毫米(6英寸)仍将是主流的SiC晶圆尺寸。除此以外,其它半导体制造商也在扩充其150mm SiC的产量。

SiC突出有几大原因。与传统的硅基功率半导体器件相比,SiC具有10倍的击穿场强和3倍的导热率,非常适合高压应用,如电源和太阳能逆变器。SiC的巨大市场机遇是电动汽车。

Wolfspeed高级电源产品经理Guy Moxey曾表示,“碳化硅有着巨大的市场需求,它不仅仅体现在电动汽车和充电基础设施的广泛应用,在上游电力,清洁能源电力分配上,对于碳化硅都是一个充满机遇的市场。”

然而现在,在国内市场放缓的情况下,对SiC器件的需求略有停滞。在产品供给端,目前的SiC晶圆厂和产能也只能满足当前的需求。应对潜在的SiC激增市场,国际半导体大厂是不是该有所表现呢?

因为现在不仅电动汽车使用的SiC器件数量在增多,而且在政府倡导环保节能的产业政策下,未来电动汽车的数量将大幅增加。对于SiC供应商而言,这就意味着是潜在商机,如何抢先布局是处于竞争优势上的重要一环。

笔者近期也注意到一些大厂在SiC晶圆上的扩张动作。如Cree,英飞凌罗姆等公司在150mm SiC晶圆厂产能上的扩张,而且罗姆和Cree也正着手创建200mm SiC晶圆厂,一些半导体设备供应商也在全力研发用于SiC生产的新设备。

什么是SiC?

据Yole称,2017年SiC功率器件业务达到3.02亿美元,比2016年增长22%。根据IHS的数据,预计2018年至2028年,SiC MOSFET市场将增长31%,到2028年达到12.5亿美元。同期,SiC功率模块业务将增长49%,到2028年达到18亿美元。

SiC器件的主要供应商包括:富士电机,英飞凌,Littlefuse,Microchip,三菱电机,安森美意法半导体,罗姆,东芝和Cree旗下Wolfspeed等。

SiC功率半导体是市场上众多类型的功率器件之一。功率半导体是专用晶体管,在系统中充当开关。它们允许电源以“开”状态流通,“关”状态停止。这些器件可提高效率并最大限度地减少系统中的能量损失。

我们知道,基于硅,功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)是市场上主要的功率半导体器件。功率MOSFET用于高达900伏的应用。领先的中端功率半导体器件是IGBT,用于400伏至10千伏的应用。

功率MOSFET和IGBT达到其理论极限就会有能量损耗,这促使需要一些新技术,即氮化镓(GaN)和SiC功率半导体。GaN和SiC都是宽禁带产品,这意味着它们提供比IGBT和功率MOSFET更快的开关速度和更高的击穿电压。

图:什么是电源开关?它们是如何分类的?资料来源:英飞凌

GaN和SiC的缺点是成本。“我们开始看到碳化硅更多地用于汽车,”TechInsights分析师Jim Hines指出。“在汽车应用中不仅是要考虑其技术更是看它的成本。如果SiC和其他功率器件可以更具成本效益,那么它就会成为一个逆风。”

通常,元器件制造商销售SiC功率MOSFET和SiC二极管,用于600伏至10千伏应用。SiC功率MOSFET是功率开关晶体管。二极管起到单向导通的作用。

从2005年开始,该行业开始在100mm(4英寸)晶圆厂中增加SiC功率器件。然后,从2016年到2017年,SiC器件制造商完成了从100mm到150mm晶圆厂的迁移。如今,150mm是SiC的主流晶圆尺寸。

150mm晶圆厂解决了成本问题。当转变到新的晶圆尺寸时,每个晶圆的裸片数量将增加2.2倍。更大的晶圆尺寸降低了整体生产成本。而这种转变并不容易。

目前,一些SiC供应商仍然在努力应对150毫米的产量。当处理SiC材料时,晶片和器件中会出现位错和晶格缺陷。甚至一些制造商会出现产量下降的影响。

尽管面临挑战,但由于对电动汽车,电源和太阳能逆变器的需求,碳化硅器件市场在2015年左右开始升温。2017年,当特斯拉开始在其电动汽车中使用意法半导体的碳化硅功率器件用于牵引逆变器时,市场得到了推动。牵引逆变器为电动机提供牵引力以推进车辆。

同时,其他电动汽车制造商使用更便宜的IGBT用于牵引逆变器,但特斯拉证明SiC是一种可行的解决方案。SiC功率半导体也用于电动车辆的其他部件,例如车载充电器。

从2015年到2018年,SiC和其他电力半导体处于强劲增长周期,导致市场短缺。但在2018年末,国内和其他地区的市场降温。目前,碳化硅市场供需保持平衡。

SiC晶圆厂,设备

需求已经开始增长。例如,比亚迪,特斯拉等公司,意法半导体预计其SiC收入将翻一番,并在今年达到2亿美元。

为了满足需求,SiC供应商正在扩建其晶圆厂或扩大晶圆产能。例如,Cree将在2024年之前将其SiC晶圆厂产能扩大至30倍。它还将使其SiC材料产量增加30倍。

“我们继续看好汽车和通信基础设施领域,以利用碳化硅的优势来推动其创新。然而,对碳化硅的需求早已超过现有供应量,”Cree首席执行官Gregg Lowe表示,“我们相信这将使我们能够在未来五年及更长时间内满足Wolfspeed碳化硅材料和设备需求的预期增长。”

一段时间以来,Cree一直在扩大其150毫米晶圆厂产能。此外,Cree正在推进下一个200mm的SiC晶圆尺寸。根据IHS的说法,最早的200毫米SiC晶圆厂直到2022年才会投入生产。

与此同时,罗姆去年在新大楼内发布了150毫米晶圆厂扩建计划。总的来说,罗姆将在2025年将其SiC生产能力提高16倍,总投资额为5.461亿美元。

另一家供应商Infineon也在生产其150mm晶圆的SiC器件。英飞凌高级总监Peter Friedrichs表示。“短期和中期150mm就足够了。然而,从长远来看,需要200mm来推动并降低成本。”

SiC的突然激增扩产令供应链端的设备商大感惊呼。多年来,设备行业一直为SiC供应商提供服务,主要是使用旧的或翻新的制造设备。

对于SiC,设备供应商正在开发150mm和200mm的制造设备。通常,可以改装150mm制造设备以支撑200mm。

虽然200mm SiC晶圆厂不会在一段时间内投入生产,但设备行业需要为它们做好准备。“今天的挑战是下一次向200mm SiC器件制造过渡,” Lam Research战略营销高级主管David Haynes说。“与IGBT技术相比,采用200mm生产有可能降低单位芯片价格,提高SiC解决方案的经济性,同时开放更先进的工艺工具,增加工艺能力并与硅晶圆厂兼容。”

向200mm的转变给SiC带来了一些挑战。“目前的150mm SiC衬底仍然存在一些技术缺陷,” KLA产品营销经理Mukund Raghunathan说。“开发200mm将会是一个行业挑战。”

SiC不是一种在工厂中处理的简单材料。“它的透明度和高折射率使其成为一种非常具有挑战性的材料,用于检查可能会影响外延生长或最终器件产量的表面缺陷。SiC衬底上最常见的缺陷类型包括微管,划痕,凹坑,表面颗粒,污渍和晶体堆垛层错,”Raghunathan说。“微管是一种螺旋(螺旋)错位,会影响设备性能。虽然许多SiC基板制造商已经优化了它们的生长过程以降低微管密度,但还是有人仍在努力解决这个问题,特别是在直径较大的150mm晶圆上。”

幸运的是,设备制造商已开发出用于处理SiC的检测和计量工具。同时,一旦制成SiC晶片,衬底就被转运至工厂,在那里它们被加工成器件。

“无论器件是以150mm还是200mm制造,与硅相比,SiC等强粘接材料的加工都会带来一些挑战,”Lam Haynes表示。“特别是,通过精确的轮廓控制,表面质量和高产量蚀刻SiC是实现从平面SiC MOSFET到SiC沟槽MOSFET架构过渡所需的关键因素。”

然后,在器件中的晶片上处理器件之后,将它们切割并封装。切割过程带来了一些挑战。“碳化硅是地球上第三种最硬的复合材料,莫氏硬度为9.5,” Veeco产品营销总监Meng Lee表示。“晶圆非常难以切割,因为它们几乎与它们切割的金刚石砂轮一样坚硬。这些晶圆在切割过程中也很脆,易碎,导致刀片快速磨损。

SiC晶圆

可以肯定的是,SiC晶圆也很重要。“对于SiC来说,要获得硅片市场份额,SiC半导体器件需要降低价格。SiC设备的平均售价基本上取决于SiC晶圆的成本,而且在过去三年中这些产品的下降速度还不够快,“IHS Eden分析说。

有两种类型的SiC晶圆供应商——垂直整合和第三方。Wolfspeed,意法半导体和罗姆是垂直整合的。Wolfspeed不仅为自己的功率半导体提供SiC晶圆,而且还将它们出售给其他人。英飞凌和意法半导体最近与Wolfspeed / Cree签署了晶圆供应协议。

罗姆销售功率器件,并拥有内部SiC晶圆制造单元。其次,为了获得更多供应,意法半导体最近收购了Norstel(一家SiC晶圆供应商)的大部分股份。此外,II-VI,陶氏,昭和电工,住友和其他公司成为第三方SiC晶圆供应商。

总结:简而言之,电动汽车等高压应用引发了SiC短缺和价格上涨的恐慌。现如今大多数SiC晶圆供应商都在尽快扩大其生产能力以满足市场潜在需求。可以说,SiC供应链正在为电动汽车和其他行业的需求浪潮做准备。

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NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 6次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 8次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

安森美半导体在功率SiC市场的现状与未来

安森美半导体(ON Semiconductor)是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 07-30 15:40 1520次 阅读
安森美半导体在功率SiC市场的现状与未来

晶闸管和IGBT有什么区别?

SCR的开关时间较长,所以频率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的开关频率较高。IGBT模块....
发表于 07-30 10:09 493次 阅读
晶闸管和IGBT有什么区别?

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 8次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 15次 阅读
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 46次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 26次 阅读
NCP3231A 高电流同步降压转换器

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 14次 阅读
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 16次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 33次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 22次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 21次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

第三代半导体领域再添新秀——北方华创新一代SiC晶体生长系统

随着电动汽车、5G通信、高速轨道交通、新能源、智能电网等领域的不断发展,市场对功率、射频器件的性能提....
的头像 北京市电子科技情报研究所 发表于 07-26 11:18 944次 阅读
第三代半导体领域再添新秀——北方华创新一代SiC晶体生长系统

罗姆碳化硅方案在新能源汽车上的应用

随着半导体产业的不断进步,硅作为一种传统的半导体材料已经无法满足某些市场新需求,第三代半导体材料成为....
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 07-25 15:21 637次 阅读
罗姆碳化硅方案在新能源汽车上的应用

UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项

美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布....
发表于 07-25 11:44 184次 阅读
UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项

行业 | 全SiC模块正在加速,SiC功率器件走向繁荣

安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一,在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
的头像 MEMS 发表于 07-25 08:50 1134次 阅读
行业 | 全SiC模块正在加速,SiC功率器件走向繁荣

啥是碳化硅(SiC)?SiC和Si性能大比拼

SiC在天然环境下非常罕见,最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中,发现了少量这种物质,所以它....
的头像 CINNO 发表于 07-24 10:10 1371次 阅读
啥是碳化硅(SiC)?SiC和Si性能大比拼

为什么SiC业务可能成为Cree最大增长动力?

半导体制造商科锐(Cree)一直在稳步减少对竞争和商品化照明市场的依赖,同时转向其Wolfspeed....
的头像 渔翁先生 发表于 07-16 16:41 4466次 阅读
为什么SiC业务可能成为Cree最大增长动力?

2019年全球晶圆代工产业或出现十年来首次负成长

由于全球政经局势动荡,2019年第二季全球晶圆代工需求持续疲弱,各厂营收与去年同期相比普遍下滑,预估....
的头像 Blue5 发表于 07-14 15:58 3790次 阅读
2019年全球晶圆代工产业或出现十年来首次负成长

扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

在不久前的一场罗姆SiC产品分享会上,笔者详细了解了SiC产品在功率器件中的比较优势,以及该公司在S....
的头像 坚白 发表于 07-12 17:35 4411次 阅读
扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

针对新型功率器件测试挑战,泰克解锁全新测试解决方案

中国北京2019年7月3日 – 在刚刚过去的PCIM Aisa展会上,泰克展示了功率器件全新测试方案....
发表于 07-04 08:49 280次 阅读
针对新型功率器件测试挑战,泰克解锁全新测试解决方案

英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
发表于 07-03 18:47 202次 阅读
英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。
的头像 DIGITIMES 发表于 07-03 14:37 1258次 阅读
SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

Power Integration推出门极驱动器系统 可支持不同功率模块

美国加利福尼亚州圣何塞,近日深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integ....
的头像 PI电源芯片 发表于 07-02 16:57 568次 阅读
Power Integration推出门极驱动器系统 可支持不同功率模块

英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器....
的头像 GaN世界 发表于 07-02 16:33 873次 阅读
英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

募资30亿元 华润微科创板上市获受理

华润微是继九号智能(目前处于中止状态)之后,科创板受理的第二家境外企业,选择了第二套上市标准即“预计....
的头像 半导体投资联盟 发表于 07-02 14:27 1233次 阅读
募资30亿元 华润微科创板上市获受理

尚阳通参展PCIM Asia 2019, 国产功率器件激活绿色未来

尚阳通亮相PCIM Asia 2019展览会(上海国际电力元件、可再生能源管理),向业界展示了自主研....
的头像 Duke 发表于 07-01 13:54 1841次 阅读
尚阳通参展PCIM Asia 2019, 国产功率器件激活绿色未来

基本半导体亮相PCIM Asia,共创“芯”未来

6月26日至28日,备受瞩目的PCIM Asia 2019(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)....
发表于 06-29 09:26 194次 阅读
基本半导体亮相PCIM Asia,共创“芯”未来

行业 | 英飞凌SiC占比充电桩市场份额超过五成

全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场......
的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 06-27 15:31 779次 阅读
行业 | 英飞凌SiC占比充电桩市场份额超过五成

Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统,适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块

可立即使用的SCALE-iFlex系统轻松支持四个模块并联;出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性。
发表于 06-27 09:09 189次 阅读
Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统,适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块

功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估,汽车,电气设备,信息和....
的头像 渔翁先生 发表于 06-25 11:22 4304次 阅读
功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

SiC优越的半导体特性,未来将可为众多的元件所采用。
的头像 旺材芯片 发表于 06-25 11:14 648次 阅读
国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

总投资10亿元 百识第三代半导体项目落户南京浦口

近日,南京百识半导体股份有限公司(以下简称“百识”)第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区(以下....
的头像 半导体前沿 发表于 06-21 09:41 1126次 阅读
总投资10亿元 百识第三代半导体项目落户南京浦口

SiC功率器件加速充电桩市场发展

随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器....
发表于 06-18 17:24 231次 阅读
SiC功率器件加速充电桩市场发展

干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱动

基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始....
的头像 电机控制设计加油站 发表于 06-13 11:45 964次 阅读
干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱动

受益于电动汽车发展,IGBT产值2021年突破52亿美元

电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预计在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两....
的头像 Blue5 发表于 06-13 11:11 982次 阅读
受益于电动汽车发展,IGBT产值2021年突破52亿美元

富士康济南建功率器件厂 大举进攻半导体产业

该项目是中国大陆地区功率器件技术起点最高的项目,具备全球行业前五的技术实力,产品应用将基于智能手机、....
的头像 电子芯闻 发表于 06-13 10:37 1517次 阅读
富士康济南建功率器件厂 大举进攻半导体产业

QORVO推出MMIC功率放大器为应用提供业界最高功率的解决方案

Qorvo今日宣布,推出 MMIC 功率放大器,该放大器在 32-38GHz 频段提供超过 10 瓦....
发表于 06-12 16:55 346次 阅读
QORVO推出MMIC功率放大器为应用提供业界最高功率的解决方案